優(yōu)勢產(chǎn)品:燒結(jié)銀、無壓燒結(jié)銀,有壓燒結(jié)銀,半燒結(jié)納米銀膏、納米銀導電墨水、導電膠、導電銀漿、導電油墨、銀/氯化銀、納米銀漿、可拉伸銀漿、燒結(jié)銀膜、納米焊料鍵合材料、UV銀漿、光刻銀漿、UV膠、導熱絕緣膠、DTS預燒結(jié)銀焊片、導電銀膜、銀玻璃膠粘劑,納米銀膠、納米銀膏、可焊接低溫銀漿、高導熱銀膠、導電膠等產(chǎn)品,擁有完善的納米顆粒技術(shù)平臺,金屬技術(shù)平臺、樹脂合成技術(shù)平臺、同位合成技術(shù)平臺,粘結(jié)技術(shù)平臺等。
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車規(guī)級SIC碳化硅芯片燒結(jié)銀特點
碳化硅MOSFET模塊主要是為新能源汽車主逆變器應用需求而推出的,在生產(chǎn)工藝方面均采用的是AS9385銀燒結(jié)技術(shù),銀燒結(jié)技術(shù)是以銀作為媒介將芯片連接起來,該技術(shù)目前在碳化硅模塊封裝中應用較為廣泛。
與傳統(tǒng)的錫焊相比,銀的熔點能達到961℃,錫的熔點只有230攝氏度左右,當碳化硅模塊工作溫度高于200攝氏度時,使用錫焊在連接層處會出現(xiàn)典型的疲勞效應。由于銀具有優(yōu)異的導熱和導電特性,使用銀燒結(jié)技術(shù)不僅能夠提高了模塊的可靠性、工作結(jié)溫,還能降低熱阻和寄生電感,進而提升整車的電能效率。
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